美光反弹重返900美元
美国记忆体大厂美光26日股价上涨26美元，涨幅2.98%，收在903美元，重返900美元大关。先前中国大陆长鑫存储揭露新一代DRAM「4F²」技术，引发市场担忧未来供给大幅扩张，冲击原有供需格局，相关个股自10月中旬起承受卖压，美光股价一度下探853美元。随市场逐步消化不确定性，美光出现反弹，投资人重新评估记忆体产业中长期成长前景。
台韩记忆体族群同步走强
韩国记忆体双雄同步反攻，市场传出SK海力士正规划规模达121亿美元的特别股利方案，激励27日股价上涨5.18%，三星电子同步上涨4.23%，带动亚洲记忆体买气回升。台股27日记忆体相关个股全面收红，南亚科终场上涨6.52%，重新站回半年线及5日线，获外资买超50.96亿元。华邦电上涨5.5%，获外资买超36.27亿元，两档合计吸引超过87亿元资金进驻。
反弹已从DRAM制造厂扩散至供应链，晶豪科与钰创涨幅也超过5%。力成、晶豪科、群联、旺宏、宜鼎、钰创、十铨及威刚等八档个股全数走扬，涨幅介于0.76%至7.05%，涵盖封测、控制芯片及记忆体模组等相关领域。
法人聚焦循环与HBM4进展
永丰投顾指出，投资人真正需要关注的不是单一技术发表造成的短期恐慌，而是记忆体这一波多头循环还能维持多久。该机构认为技术突破不等于短期内形成大规模有效供给，回顾长江存储2018年发表Xtacking技术，以及长鑫2019年量产DDR4，都未曾单独扭转全球产业循环，因此此次新技术对2027年供需的实际影响，可能不如市场最初担忧严重。后续值得追踪长鑫年底能否推出符合规格的实际产品、月产能扩张速度、中国大陆本土市场吸收能力，以及G5平台后续发展。对台湾业者而言，法人建议关注长期供货合约涵盖率及客制化产品占比，以降低标准型记忆体价格波动影响。安联亚洲半导体主动式基金经理人蕭惠中指出，除传统DRAM与NAND报价走势，市场将密切关注新一代高频宽记忆体HBM4出货进度及高阶记忆体需求能见度，随AI应用扩大，成长动能正从供需改善转向产品组合升级。