美光反彈重返900美元
美國記憶體大廠美光26日股價上漲26美元，漲幅2.98%，收在903美元，重返900美元大關。先前中國大陸長鑫存儲揭露新一代DRAM「4F²」技術，引發市場擔憂未來供給大幅擴張，衝擊原有供需格局，相關個股自10月中旬起承受賣壓，美光股價一度下探853美元。隨市場逐步消化不確定性，美光出現反彈，投資人重新評估記憶體產業中長期成長前景。
台韓記憶體族群同步走強
韓國記憶體雙雄同步反攻，市場傳出SK海力士正規劃規模達121億美元的特別股利方案，激勵27日股價上漲5.18%，三星電子同步上漲4.23%，帶動亞洲記憶體買氣回升。台股27日記憶體相關個股全面收紅，南亞科終場上漲6.52%，重新站回半年線及5日線，獲外資買超50.96億元。華邦電上漲5.5%，獲外資買超36.27億元，兩檔合計吸引超過87億元資金進駐。
反彈已從DRAM製造廠擴散至供應鏈，晶豪科與鈺創漲幅也超過5%。力成、晶豪科、群聯、旺宏、宜鼎、鈺創、十銓及威剛等八檔個股全數走揚，漲幅介於0.76%至7.05%，涵蓋封測、控制晶片及記憶體模組等相關領域。
法人聚焦循環與HBM4進展
永豐投顧指出，投資人真正需要關注的不是單一技術發表造成的短期恐慌，而是記憶體這一波多頭循環還能維持多久。該機構認為技術突破不等於短期內形成大規模有效供給，回顧長江存儲2018年發表Xtacking技術，以及長鑫2019年量產DDR4，都未曾單獨扭轉全球產業循環，因此此次新技術對2027年供需的實際影響，可能不如市場最初擔憂嚴重。後續值得追蹤長鑫年底能否推出符合規格的實際產品、月產能擴張速度、中國大陸本土市場吸收能力，以及G5平台後續發展。對台灣業者而言，法人建議關注長期供貨合約涵蓋率及客製化產品占比，以降低標準型記憶體價格波動影響。安聯亞洲半導體主動式基金經理人蕭惠中指出，除傳統DRAM與NAND報價走勢，市場將密切關注新一代高頻寬記憶體HBM4出貨進度及高階記憶體需求能見度，隨AI應用擴大，成長動能正從供需改善轉向產品組合升級。