台股大漲939點 記憶體族群全面走揚
台股28日多頭氣勢強勁，加權指數終場上漲939.35點，收在47,035.58點，成交量為7,221.35億元。記憶體族群同步走揚，主要受到美光大漲近3%，以及力成（6239）法說報喜帶動，市場氣氛明顯回溫。官股投顧發布最新記憶體產業報告，指出在AI伺服器拉貨與高頻寬記憶體產能排擠下，缺貨與高價行情將延續至2027年。
HBM耗用晶圓數倍 排擠傳統DRAM供給
報告分析，生成式AI需求改變半導體景氣結構，三星、SK海力士與美光等業者將產能優先轉向高頻寬記憶體與高階顆粒，使傳統DRAM供給受限。生產HBM3E所消耗的晶圓產能為一般DDR5的3倍，HBM4與HBM4E更達3.5倍與5倍，加上HBM4匯流排寬度翻倍，技術門檻提高，產能持續被鎖定，進而使全球記憶體供給維持緊繃。
伺服器出貨年增雙位數 填補消費電子缺口
終端需求方面，智慧型手機與PC等消費性電子受記憶體漲價影響，出貨量微幅下降，但伺服器市場拉貨動能強勁。預估今年與2027年全球伺服器出貨量年增率分別為13%與17%，而伺服器占整體DRAM用量比重已攀升至40%以上，有助填補消費市場缺口。此外，企業級SSD滲透率加速提升，亦支撐NAND Flash報價維持高檔。
點名南亞科等4檔 目標價最高3000元
官股投顧給予南亞科（2408）、華邦電（2344）、群聯（8299）、宜鼎（5289）4檔個股買進評等。南亞科受惠高階DRAM報價與產能滿載，1C新製程預計2027年第一季進入驗證，預估今年與2027年EPS為77.85元與133.21元，目標價800元。華邦電收購英飛凌NOR Flash與F-RAM事業部後市占衝破30%，並以近400億元擴展高雄廠16奈米DRAM產能，預估EPS為27.34元與61.23元，目標價300元。群聯手握低價控制晶片與NAND庫存，預估EPS為467.05元與594.31元，目標價3000元。宜鼎深耕Edge AI邊緣運算，預估EPS為389.96元與404.71元，目標價2000元。