传应英伟达要求评估3D DRAM
台积电传出正评估跨足先进内存芯片制造，并已开始规划生产新一代3D DRAM。美国科技媒体《The Information》6日引述知情人士报道，此计划主要是应最大客户英伟达的要求而研拟。在人工智能运算需求快速成长的背景下，内存芯片供应持续吃紧，英伟达等科技业者积极寻找额外供应来源，台积电因此开始评估进入先进内存市场的可能性，若后续成功推动，将进一步扩大其在人工智能硬件供应链的布局。
新建专厂或收购改造二选一
综合外媒报道，台积电目前正评估两种方式，一是兴建专门生产先进内存芯片的新厂，另一种则是收购现有晶圆厂，再将设备与产线改造为内存生产用途。不过，目前尚不清楚台积电可能何时启动生产，也未确定最终将采取何种方案。据悉，此计划由负责先进封装业务的副总经理徐国晋主导，其过去也曾在美光任职，显示台积电对内存与先进封装整合的重视。
AI推升高效能内存需求
由于人工智能芯片对高性能内存的需求持续攀升，内存技术与先进封装的整合愈发重要，如何将内存与处理器有效结合，已成为提升AI运算效能的关键之一。DRAM主要用于暂时储存电子装置运作所需的数据，而3D DRAM则是透过垂直堆叠内存单元、而非传统单层水平排列的架构，来提高内存容量，此类技术若能成功量产，将有助于满足AI运算对更高内存容量及效能的需求。
供需失衡与量产挑战并存
现时AI数据中心建设潮已使内存市场供需失衡，供应短缺推升芯片价格，也促使英伟达、苹果等大型科技公司积极寻找替代供应管道。美光今年3月便同意以18亿美元收购力积电位于台湾的一座晶圆厂，计划改造为先进内存生产基地。不过，现阶段内存市场主要由三星电子、SK海力士及美光主导，且具明显景气循环特性。台积电虽在垂直式DRAM技术持有相关专利，但要走向稳定大规模量产，仍须克服良率与制程挑战，过去与SK海力士在高带宽内存基础逻辑晶粒的合作关系变化亦值得关注。针对报道，台积电与英伟达目前均未回应。